求学与治学都要苦干、实干和巧干，即勤奋、实事求是和掌握正确的思维方法。取得成功的根本在于个人的坚定理想和持之以恒的进取心。
――李志坚
李志坚是半导体物理与微电子技术专家。男，1928年5月出生于浙江省宁波市。
1951年浙江大学物理系毕业，同年入同济大学物理系任助教。1953年苏联列宁格勒大学(今俄罗斯彼得堡大学)物理系研究生，1958年初毕业，获物理¾
数学副博士学位。回国后，一直任教于清华大学，先后在无线电系(今电子系)和微电子所任讲师，副教授，教授。是清华大学半导体专业和微电子所创建人之一，曾任教研组主任和研究所所长，清华大学学术委员会副主任。现任清华大学信息学院及微电子所的学术委员会主任、国家信息化专家咨询委员会委员和《电子学报》编委等。他曾任的社会职务有：国务院学科评议组成员，中国科协委员，中国电子学会副理事长。1979年和1980年先后被评为北京市和全国劳动模范。1990年被入选为中国科学院院士。
在苏联留学时的研究生论文中提出了半导体薄膜电导和光电导的晶粒间电子势垒理论受到同行学者重视。1958年初回国后，即投入清华大学半导体专业的创建，建成了国内工科大学第一个半导体实验室。在国际上半导体器件尚以锗为主导的情况下，他们毅然确定硅技术为自己的研究方向，并很快地在超纯硅提炼、硅单晶拉制、硅晶体管研制等方面取得了处于国内先进的成果。
1963年他们首先研究成功高反压平面型晶体管，掌握了硅平面工艺，使他们仅落后美国3-4年便开始了集成电路的研究。
文革后，李志坚恢复了学术领导职务。在大家支持下，他们集中力量研究MOS集成电路：加强了MOS工艺线建设，开展了MOS物理和器件、IC
CAD和LSI设计、测试等系列研究，取得明显成果，使清华大学成为国家大规模集成电路研究开发的重要基地之一。1980年在国家支持下，清华建成了3微米MOS
LSI工艺线并成立了微电子所，他担任副所长、所长。
在“六五”、“七五”国家计划科技攻关中，他们独立自主地开发出全套3微米MOS集成电路工艺，并研制出16K位SRAM，8位、16位CPU等一系列大规模集成电路芯片；“八五”攻关中又建成了我国第一条1~1.5微米CMOS
VLSI工艺线，开发出相应的整套工艺流程，研制成功1兆位汉字ROM，使我国集成电路进入VLSI阶段。这些成果基本上代表了当时我国微电子技术的先进水平。
在进行大量的研制开发同时，他十分重视基础性和前瞻性微电子科技的研究。认为这是培养高水平人才所必需，也是为加速以后的研发工作打好基础，关键是要选好课题，要勇于创新。如：
他长期重视MOS界面物理的研究，为他们MOS技术的开发提供了坚实的基础；80年代初他们的EEPROM器件物理研究，导致了1990年初清华研制成功“中华第一(IC)卡”；他支持钱佩信同志开发新的半导体高速退火技术和设备，并亲自指导其机理研究，这一项目的成功导致了我国一个重要的VLSI技术与先进设备的自主知识产权等等。在80年代末、90年代初，他已向国家基金委提出和得到重大项目资助，开创微电子系统集成技术的研究，并先后研究出微马达等一系列MEMS器件，神经网络、语音处理等多种SOC芯片，取得了一批美国专利。他被公认是我国MEMS和SOC技术研究的先驱者。
他长期在高等学校任教，是解放后我国首批博士生导师，培养了许多微电子和其他方面的优秀人才。编写著作4部，发表和共同发表学术论文200余篇。先后获国家科技进步奖二等奖2项，国家发明奖二等奖1项，国家教委和电子部科技进步奖一等和二等共5项。获得1997年度陈嘉庚信息科学奖和2000年何梁何利科技进步奖。