为祖国的富强而奉献是我们的无上荣光
――梁骏吾
梁骏吾是著名半导体材料学家，男，1933年9月出生于武汉。
1955年于武汉大学毕业后被选派赴苏联科学院冶金研究所读研究生，攻读半导体材料专业。1960年获副博士学位。回国后，进入刚刚成立的中国科学院半导体研究所工作。1985年被聘为研究员、博士生导师。1990年获国家级有突出贡献中青年专家称号。是中国电子学会理事、中国材料研究学会理事，中国电子学会电子材料分会主任。2000年1月聘为同济大学兼职教授，并带研究生。还兼任武汉大学、华中科技大学、河北工业大学教授。1997年当选为中国工程院院士。
梁骏吾院士从事半导体研究40余年，在中国半导体材料领域取得众多科研成果。60年代初，承担了高纯硅单晶的制备任务，从设计、制作到单晶提纯生产工艺，实现了关键技术的突破，创造性地解决了国产高频区熔炉不能长期、稳定、可靠运行的难题，不仅满足了区熔硅生产的需要，还能满足其他多种工艺的要求。这一成果被高频炉生产厂家一直延用至今。用该设备完成了国家重点科研任务，得到了电阻率1040hm-cm的高纯硅单晶，是当时国际上领先技术。1964年，负责半导体外延工作，为砷化镓液相外延作出了开拓性的工作，用这种材料首次在国内研制成功室温脉冲相干激光器。1966年――1969年，
他负责“156工程”集成电路用硅外延材料的国家任务，解决了连续生长高掺杂硅外延层-SiO2介质层-多晶硅层结构的工艺技术，为我国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料和设备。1978年以后，梁骏吾在4K和16K位DRAM研制中，负责硅单晶材料的研究。解决了有害杂质、氧含量、缺陷的控制及后处理等技术，成功地拉制了无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质量硅单晶材料。在研究半导体材料中杂质与缺陷相互作用的基础上，他首创了区熔掺氮中子嬗变硅单晶，解决了长期困扰生产厂家的硅中位错运动和繁殖以及电阻率的均匀性等重大技术难题，获得了机械性能好、电阻率均匀的区熔硅单晶，这一成果在许多材料和器件工厂得到了广泛的应用。在“七五”计划和“八五”计划攻关中，梁骏吾解决了外延中气体动力学与热力学耦合计算的问题，为外延炉设计提供了理论依据，完成了新一代微机控制光加热外延炉，这一成果被鉴定后认为
“打破了外商垄断，国内首创”、“在外延层本底电阻率、过渡区宽、掺杂电阻率、径向不均匀度等多项参数上均达到国际先进水平”。1992年，他“突破了我国多年来未能生长低阈值电流密度的量子阱激光器MOCVD材料的局面”，全面完成了863任务――MOCVD AIGaAs/GaAs量子阱超晶格材料任务，为第二代光电材料（超晶格、量子阱）的研制作出了贡献。由于梁骏吾在半导体材料研究中硕果累累，先后获国家科委科技成果二等奖1次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖2次，以及部级奖励多次。1993被评为“中国科学院优秀导师”。