人只有献身社会，才能找到那实际上是短暂而有风险的生命的意义
――陈星弼录爱因斯坦格言以共勉
陈星弼是著名半导体与微电子学专家。男，1931年1月28日出生于上海，浙江省浦江县人。
中国科学院院士、教授、博士导师、电子科技大学微电子所名誉所长、2000年6月聘为同济大学兼职教授。
1947年入学于国立同济大学电机系，1952年任厦门大学电机系助教，1953年到1956年南京工学院无线电系任助教，后任讲师。 1956-1959年中国科学院物理所进修教师。1959年我国首次科学规划创建半导体事业时，被成都电讯工程学院派往
科学院应用物理研究所进修与实习。1959年3月开始在成都电讯工程学院任教1980年。年曾去美国俄亥俄大学及加州大学伯克利分校作访问学者及研究工程师，为时两年半。1992-1994年受加拿大多伦多大学邀请作客座教授一年。1994-1995年在英国威尔斯大学天鹅海分校电子工程系任客座教授。
他是电子科技大学半导体及微电子学科的学术带头人。1983年担任电子科技大学原三系主任，1984年建立了微电子研究所并任所长。他从80年代初期开始坚持了现代电力电子器件及功率集成电路的研究方向，促进了电力电子技术的发展，并形成了一个重要的研究领域。他发表了在该领域迄今唯一的垂直型及横向型功率MOST的优化理论与设计公式以及导通电阻与耐压的极限关系。为了充分达到极限耐压，他唯一地在国际上提出各种终端技术的物理解释、分析及设计公式。这些理论成为一个系统且覆盖全面。他在1990年为该学科争取到博士点，并为博士导师。
他曾讲授过十门以上不同课程，作为第一作者或唯一作者出版了
《半导体物理》上下两册，《固体物理》、《晶体管原理》、《晶体管原理与设计》及《功率MOSFET与高压集成电路》教科书及专著，其中后一本获电子部教材一等奖。从1959年开始到现在，他作为第一作者或唯一作者在《物理学报》，《半导体学报》，《IEEE Trans. on E.D,Solid-State Electrinics,International Journal of Electronics 》等刊物发表论文40多篇。他负责过“八五”国家科技攻关重点项目，国家自然科学基金重点项目及国家科工委及各种省部级项目近20项，获得美国发明专利6项，中国发明专利6项。获国家发明奖及科技进步奖两项，国家教委及省部级奖13项。他的重要发明之一是CB结构，突破了传统功率MOS导通电阻与耐压的极限关系。现称为超结器件是电力电子器件最新的一个里程碑。目前还正从事其它几项重要发明的实现及新的探索工作。
他是中国电子学会会员，美国IEEE高级会员，中国电子学会半导体与集成技术委员会委员，中国电子学会四川省分会理事兼半导体与集成技术分会主任委员，曾连续担任国际（SSICT）程序委员及分会主席及一届中德友好电子周分会主席。他精通英语并能顺利阅读俄、德、日语专业文献，对这些语种均有过翻译出版物。
陈星弼院士从2000年6月起担任同济大学兼职教授，现任电子与信息工程学院半导体与信息技术研究所灵巧功率集成电路研究室主任，负责筹建了相应的学科梯队和实验室，完成了上海市科委的AM重点基金项目“灵巧功率集成电路在自动控制中的应用”，申报国际发明专利2个，参与申报成功“微电子学与固体电子学”硕士点，并为半导体所的研究生、本科生讲解《半导体集成电路》和《半导体工艺》的课程。